Pamięć Samsung M425R4GA3BB0-CWM moduł pamięci 32 GB 2 x 16 GB DDR5

Moduł pamięci Samsung M425R4GA3BB0-CWM – Wydajność na najwyższym poziomie

Moduł pamięci Samsung M425R4GA3BB0-CWM to znakomity wybór dla pasjonatów komputerowych, którzy szukają komponentu o wysokiej wydajności. Dzięki nowoczesnej technologii DDR5, ten moduł pamięci oferuje niezrównane osiągi, które zaspokoją potrzeby nawet najbardziej wymagających użytkowników.

Pamięć wewnętrzna 32 GB – Idealne rozwiązanie dla Twojego PC

Z pojemnością 32 GB, moduł pamięci Samsung M425R4GA3BB0-CWM stanowi doskonałe rozwiązanie dla osób potrzebujących dużej mocy obliczeniowej. Niezależnie od tego, czy grasz w najnowsze tytuły, czy pracujesz z wymagającymi aplikacjami, ta pamięć z pewnością spełni Twoje oczekiwania.

Układ pamięci 2 x 16 GB – Zwiększona wydajność i stabilność

Konfiguracja 2 x 16 GB umożliwia lepszą wydajność oraz stabilność systemu. Dzięki zastosowaniu dwóch modułów, użytkownicy mogą cieszyć się zwiększoną przepustowością, co przekłada się na szybsze ładowanie aplikacji oraz płynniejsze działanie systemu operacyjnego.

Typ pamięci DDR5 – Nowoczesna technologia dla lepszej efektywności

Pamięć DDR5 to najnowsza generacja pamięci RAM, która oferuje znacznie wyższą wydajność w porównaniu do wcześniejszych wersji. Dlatego moduł Samsung M425R4GA3BB0-CWM jest idealnym wyborem dla tych, którzy pragną zbudować nowoczesny i wydajny system komputerowy.

Prędkość zegara pamięci 5600 MHz – Szybkość, która robi różnicę

Prędkość zegara pamięci wynosząca 5600 MHz zapewnia błyskawiczne przesyłanie danych, co jest kluczowe w przypadku intensywnych zadań obliczeniowych oraz gier. Dzięki tej szybkości, użytkownicy mogą oczekiwać lepszej responsywności i wydajności w codziennym użytkowaniu.

Rodzaj pamięci 262-pin SO-DIMM – Kompatybilność z różnymi systemami

Moduł pamięci Samsung M425R4GA3BB0-CWM został zaprojektowany w formacie 262-pin SO-DIMM, co sprawia, że jest kompatybilny z szeroką gamą laptopów i komputerów stacjonarnych. Dzięki temu instalacja pamięci jest prosta i szybka.

Opóźnienie CAS 46 – Optymalizacja wydajności w grach i aplikacjach

Opóźnienie CAS wynoszące 46 zapewnia optymalizację wydajności, co jest szczególnie istotne w przypadku gier oraz aplikacji wymagających dużej mocy obliczeniowej. Dzięki temu użytkownicy mogą cieszyć się płynniejszym działaniem i lepszymi osiągami.

Specyfikacja techniczna modułu pamięci Samsung M425R4GA3BB0-CWM

• Producent: Samsung
• Typ pamięci: DDR5
• Pojemność pamięci: 32 GB
• Układ pamięci (moduły x rozmiar): 2 x 16 GB
• Prędkość zegara pamięci: 5600 MHz
• Napięcie pamięci: 1.1 V
• Rodzaj pamięci: 262-pin SO-DIMM
• Opóźnienie CAS: 46
• Rodzaj pamięci: Unregistered (unbuffered)